金融界2024年12月10日音讯，国家知识产权局信息数据显现，大连恒坤新资料有限公司请求一项名为“一种低介电氮化硅薄膜及其制备办法和使用”的专利，公开号CN 119092400 A，请求日期为2024年8月。
专利摘要显现，本发明归于半导体资料技术领域，详细触及一种低介电氮化硅薄膜及其制备办法和使用。所述低介电氮化硅薄膜的制备办法有以下过程：S1.将有机氨基硅烷前驱体通入反响室，经过原子层沉积在衬底外表得到榜首反响物；S2.在反响室中通入助剂与榜首反响物触摸反响，得到第二反响产品；S3.在反响室中通入含等离子体源气体与第二反响产品触摸反响，得到低介电氮化硅薄膜。所述助剂是含氮MOF资料。本发明的重点是引进含氮MOF资料作为献身模版助剂与有机氨基硅烷前驱体反响，有利于将金属和碳均匀地掺杂到氮化硅薄膜中，由此制备得到的氮化硅薄膜具有低介电常数、低密度以及降低湿刻蚀速率的功能。
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