国家知识产权局信息数据显现，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司请求一项名为“一种提高12寸LTO背封膜厚均一性的办法”的专利，公开号CN121046812A，请求日期为2025年7月。
专利摘要显现，本发明触及半导体资料技术领域，详细触及一种提高12寸LTO背封膜厚均一性的办法，包含以下过程：（1）加工前将已完成双面抛光加工的硅晶片洗净备用；（2）将硅晶片送入机台进行SiO2成膜反响，反响过程中确保O2充沛乃至过量，使SiH4彻底反响；（3）加热区内托盘中部加热温度别离设定为：T1=670~750℃、T2=620~700℃、T3=540~620℃；（4）托盘两边的加热温度设置为620~700℃，使边际成膜速率低于中部的速率；（5）托盘传送硅晶片的速率为220~270mm/min；（6）晶片反面镀一层SiO2薄膜，薄膜厚度为0.3~0.6μm；（7）将镀膜加工完成后的硅晶片再次洗净。
天眼查资料显现，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，成立于2017年，坐落杭州市，是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本503225.6776万人民币。经过天眼查大数据分析，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外出资了6家企业，参加招投标项目41次，产业线条，此外企业还具有行政许可22个。
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